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PECVD主要由工藝管及電阻加熱爐、凈化推舟系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)6大部分組成。PECVD的主要性能指標，PECVD設備的主要特...

[半導體材料]2021-01-18 04:17:19

廣東省科學院半導體研究所 [ 已審核 ]

微納制造的加工材料多種多樣，相對金屬材料與硅和玻璃等無機材料而言，聚合物基材廉價易得且具有更好的生物兼容性、電絕緣隔離性、熱隔離性等性能。近年來，基于聚合物的微...

[半導體材料]2021-01-18 04:17:19

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真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術(shù)和化學氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，天津反射濺射真空鍍膜外協(xié)，利用各種物理方法，將鍍料氣化成...

[半導體材料]2021-01-18 02:16:37

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GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠，選擇比接近1:1，如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來做掩膜。對于刻蝕更深的GaN,那...

[半導體材料]2021-01-18 00:28:24

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影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴...

[半導體材料]2021-01-18 00:28:24

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磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場作用下加速飛向...

[半導體材料]2021-01-17 06:17:21

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刻蝕是按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術(shù)，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是...

[半導體材料]2021-01-17 05:18:04

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微納制造技術(shù)屬國際前沿技術(shù)，作為未來制造業(yè)賴以生存的基礎和可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，其研發(fā)和應用標志著人類可以在微、納米尺度認識和改造世界。以聚合物為基礎材料的微納系統(tǒng)...

[半導體材料]2021-01-17 05:18:04

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硅材料在MEMS器件當中是很重要的一種材料。在硅材料刻蝕當中，應用于醫(yī)美方向的硅針刻蝕需要用到各向同性刻蝕，縱向和橫向同時刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕，...

[半導體材料]2021-01-17 04:20:59

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針對PVD制備薄膜應力的解決辦法主要有：1.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向，但需要外界給...

[半導體材料]2021-01-17 04:20:59

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在光刻圖案化工藝中，天津刻蝕微納加工價格，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上，天津刻蝕微納...

[半導體材料]2021-01-17 02:16:40

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高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術(shù)，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有比較高的曝光精度，但這兩種方...

[半導體材料]2021-01-17 01:19:24

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