且十六個(gè)環(huán)形線圈模塊4均勻安裝在十六個(gè)區(qū)域內(nèi)，從而使得環(huán)形線圈模塊4的分布相對(duì)均勻，使得裝置加熱能力相對(duì)均勻，提升裝置的烹飪能力。進(jìn)一步的，環(huán)形線圈模塊4由七個(gè)呈環(huán)形狀的電磁線圈401組成，電磁線圈401的截面成螺旋狀，使得裝置的加熱能力相對(duì)較好。進(jìn)一步的，環(huán)形線圈模塊4呈方陣狀整齊排列于安裝板1上，使得裝置的加熱處于同一平面上，從而加熱能力相對(duì)均勻，防輻射外環(huán)5呈圓形，使得環(huán)形線圈模塊4在加熱過程中，不會(huì)對(duì)防輻射外環(huán)5產(chǎn)生損傷。進(jìn)一步的，線圈隔斷條3由環(huán)氧樹脂膠構(gòu)成，使得線圈隔斷條3對(duì)裝置內(nèi)的輻射可一定程度防護(hù)，導(dǎo)線6為抗熱材料，河北電子線圈訂制價(jià)格，使得裝置在加熱過程中，導(dǎo)線6不會(huì)產(chǎn)生損壞，河北電子線圈訂制價(jià)格，從而使裝置的實(shí)用性強(qiáng)，河北電子線圈訂制價(jià)格。工作原理：首先對(duì)外接線10接通電源，電源通過環(huán)形線圈模塊4內(nèi)的電磁線圈401后通過導(dǎo)線6串聯(lián)環(huán)形線圈模塊4，從而使得電源可接通于安裝板1上十六個(gè)環(huán)形線圈模塊4上，環(huán)形線圈模塊4內(nèi)由七個(gè)電磁線圈401串聯(lián)組成，電磁線圈401通電后可產(chǎn)生高溫，從而使裝置產(chǎn)生熱量，通過設(shè)置在安裝板1上連接的環(huán)形線圈模塊4，且環(huán)形線圈模塊4在安裝板1內(nèi)為陣列狀，規(guī)則排列，且環(huán)形線圈模塊4由換形狀的七個(gè)電磁線圈401環(huán)形組成。

    此時(shí)斷路反饋狀態(tài)位在清零信號(hào)的作用下短暫復(fù)位，但由于斷路狀態(tài)沒有排除，所以斷路反饋狀態(tài)位在短暫復(fù)位后繼續(xù)保持高電平有效狀態(tài)，如此往復(fù)。三、車用電磁閥t1出現(xiàn)斷路故障時(shí)，工作相位圖請(qǐng)參考圖4。在未開始驅(qū)動(dòng)車用電磁閥t1工作時(shí)，即驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)還未有效、呈低電平時(shí)，車用電磁閥t1和電阻r1構(gòu)成串聯(lián)分壓電路，此時(shí)由于車用電磁閥t1的內(nèi)阻很低，因此t1和r1的公共端a端的電壓非常低，因此b端電壓可以認(rèn)為是一個(gè)邏輯的低電平，也即b端給cpld控制器的診斷狀態(tài)位為低電平。當(dāng)驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)高電平有效時(shí)，由于車用電磁閥t1短路，此時(shí)a端的電壓和b端電壓都保持在邏輯低的電壓范圍內(nèi)，也即b端給cpld控制器的診斷狀態(tài)位為低電平。比較圖2和圖4可以看出，當(dāng)驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)還未有效時(shí)，無論是正常情況還是出現(xiàn)短路故障時(shí)，診斷狀態(tài)位都呈低電平。而在驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)高電平有效時(shí)，正常情況下診斷狀態(tài)位呈高電平，出現(xiàn)短路故障時(shí)由高電平變?yōu)榈碗娖?。因此cpld控制器在驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)有效時(shí)，結(jié)合診斷狀態(tài)位的邏輯電平以確定車用電磁閥t1的短路狀態(tài)。具體的，cpld控制器在驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)有效且診斷狀態(tài)位為低電平時(shí)，通過短路反饋輸出端向mcu反饋有效的短路反饋狀態(tài)位，也即如圖4所示。

    導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時(shí)的短路電流各不相同，所以設(shè)計(jì)者應(yīng)跟據(jù)自己的實(shí)際電路和使用條件設(shè)計(jì)合理的保護(hù)時(shí)間。短路保護(hù)時(shí)間計(jì)算步驟：計(jì)算MOSFVBHET短路時(shí)允許的瞬態(tài)溫升因?yàn)榭刂破饔锌赡苁窃谡９ぷ鲿r(shí)突然短路，所以我們的設(shè)計(jì)應(yīng)是基于正常工作時(shí)的溫度來計(jì)算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度可由下式計(jì)算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面溫度Tj：MOSFET結(jié)點(diǎn)溫度Rth(jc)：結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度不能超過175℃，所以電機(jī)相線短路時(shí)MOSFET允許的溫升為：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計(jì)算允許的單脈沖時(shí)的熱阻由圖2可知，短路時(shí)MOSFET耗散的功率約為：P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過將圖二測(cè)得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù)，然后通過EXCEL進(jìn)行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)。對(duì)于MOSFET溫升計(jì)算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時(shí)間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知，對(duì)于單脈沖來說。

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