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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:上海投影光刻機(jī)價格,光刻機(jī)
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光刻機(jī)的主要性能指標(biāo)有:1.支持基片的尺寸范圍。2.分辨率是對光刻工藝加工可以達(dá)到的較細(xì)線條精度的一種描述方式。3.對準(zhǔn)精度,上海投影光刻機(jī)價格。4.曝光方式:曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。5.光源波長:曝光光源波長為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域,光源有汞燈,上海投影光刻機(jī)價格,準(zhǔn)分子激光器等。6.光強(qiáng)均勻性,上海投影光刻機(jī)價格。7.生產(chǎn)效率。一般來說可以分為三種操作方式:A手動:指的是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準(zhǔn),對準(zhǔn)精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。B半自動:指的是對準(zhǔn)可以通過電動軸根據(jù)CCD的進(jìn)行定位。C自動:指的是通過程序控制,自動光刻機(jī)主要是滿足工廠對于處理量的需要。光刻機(jī)的曝光:采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光。上海投影光刻機(jī)價格
光刻機(jī)的技術(shù)原理:電子束光刻。電子束曝光技術(shù)是迄今為止分辨率高的一種曝光手段。電子束光刻的優(yōu)點(diǎn)是(1)分辨率高;(2)不需要掩膜;(3)不受像場尺寸限制;(4)真空內(nèi)曝光,無污染;(5)由計算機(jī)控制,自動化程度高。目前已研制出多種電子束納米曝光技術(shù),如掃描透射電子顯微鏡(STEM)、掃描隧道顯微鏡(STM)、圓形束、成形束、投影曝光、微電子光柱等。其中STM的空間分辨率高,橫向可達(dá)0.1nm,縱向優(yōu)于0.01nm,但由于電子束入射光刻膠和襯底后會產(chǎn)生散射,因而限制了實(shí)際的分辨率(即鄰近效應(yīng))。目前電子束曝光技術(shù)中的主導(dǎo)加工技術(shù)為圓形電子束和成形電子束曝光,成形電子束目前小分辨率一般大于100nm,圓形電子束的高分辨率可達(dá)幾個納米。電子束光刻采用直接寫的技術(shù),在掩膜版的制備過程中占主要地位。但也正是因?yàn)殡娮邮捎弥苯訉懙募夹g(shù),因此曝光的速度很慢,不實(shí)用于大硅片的生產(chǎn),此外電子束轟擊襯底也會產(chǎn)生缺陷。上海X光光刻機(jī)生產(chǎn)廠家光刻機(jī)的曝光:軟<硬<真空接觸的越緊密,分辨率越高,當(dāng)然接觸的越緊密。
光刻機(jī):1、遮光器:在不需要曝光的時候,阻止光束照射到硅片。2、能量探測器:檢測光束較終入射能量是否符合曝光要求,并反饋給能量控制器進(jìn)行調(diào)整。3、掩模版:一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計圖的玻璃板,貴的要數(shù)十萬美元。4、掩膜臺:承載掩模版運(yùn)動的設(shè)備,運(yùn)動控制精度是nm級的。5、物鏡:物鏡由20多塊鏡片組成,主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小,再被激光映射的硅片上,并且物鏡還要補(bǔ)償各種光學(xué)誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計難度大,精度的要求高。6、硅片:用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸,尺寸越大,產(chǎn)率越高。題外話,由于硅片是圓的,所以需要在硅片上剪一個缺口來確認(rèn)硅片的坐標(biāo)系,根據(jù)缺口的形狀不同分為兩種,分別叫flat、notch。7、內(nèi)部封閉框架、減振器:將工作臺與外部環(huán)境隔離,保持水平,減少外界振動干擾,并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。
激光全息光刻機(jī)是一種工藝先進(jìn),性能較好的生產(chǎn)儀器,憑借其優(yōu)異的生產(chǎn)效果在行業(yè)中得到了普遍的使用,下面就和小編來了解它究竟是如何工作的吧。激光全息光刻機(jī)主要是通過曝光的方法將掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到涂覆于硅片表面的光刻膠上,然后通過顯影、刻蝕等工藝將圖形轉(zhuǎn)移到硅片上,但是要制備光刻圖形,就得在芯片表面制備一層均勻的光刻膠,并且在涂膠之前還需要對芯片表面進(jìn)行清洗和干燥,從而確保其粘合效果。目前涂膠的主要方法有甩膠、噴膠和氣相沉積,其中以甩膠使用較多,具體是利用芯片的高速旋轉(zhuǎn)將多余的膠甩出去,而在芯片上留下一層均勻的膠層,隨后再通過紫外光刻就是就可以投入生產(chǎn)了。光刻機(jī)的曝光:軟接觸,硬接觸和真空接觸。
光刻機(jī)分為無掩模光刻機(jī)和有掩模光刻機(jī)。(1)無掩模光刻機(jī)可分為電子束直寫光刻機(jī)、離子束直寫光刻機(jī)、激光直寫光刻機(jī)。電子束直寫光刻機(jī)可以用于高分辨率掩模版以及集成電路原型驗(yàn)證芯片等的制造,激光直寫光刻機(jī)一般是用于小批量特定芯片的制造。(2)有掩模光刻機(jī)分為接觸/接近式光刻機(jī)和投影式光刻機(jī)。接觸式光刻和接近式光刻機(jī)出現(xiàn)的時期較早,投影光刻機(jī)技術(shù)更加先進(jìn),圖形比例不需要為1:1,減低了掩膜板制作成本,目前在先進(jìn)制程中普遍使用。隨著曝光光源的改進(jìn),光刻機(jī)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小。光刻設(shè)備從光源(從較初的g-Line,i-Line發(fā)展到EUV)、曝光方式(從接觸式到步進(jìn)式,從干式投影到浸沒式投影)不斷進(jìn)行著改進(jìn)。光刻機(jī)的曝光:曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng),設(shè)備簡單。上海單面光刻機(jī)報價
光刻機(jī)的曝光:增大了每次曝光的視場;提供硅片表面不平整的補(bǔ)償。上海投影光刻機(jī)價格
光刻機(jī)的知識點(diǎn):1、EUV和DUV的區(qū)別?DUV是深紫外線(DeepUltravioletLithography),EUV是極深紫外線(ExtremeUltravioletLithography)。從制程范圍來看,DUV基本上只能做到25nm,Intel憑借雙工作臺的模式做到了10nm,但是卻無法達(dá)到10nm以下。只有EUV能滿足10nm以下的晶圓制造,并且還可以向5nm、3nm繼續(xù)延伸。EUV的價格是1-3億美金/臺,DUV的價格為2000萬-5000萬美金/臺不等。2、目前EUV技術(shù)是否完全成熟?EUV從2012年開始研究,到現(xiàn)在已基本成熟。2017年在光源上遇到了困難,設(shè)備需要又快又精確地打進(jìn)金屬粒子,并且粒子要均勻地濺射出去,速度達(dá)到每秒6000下是非常困難的,普通的DUV光源無法實(shí)現(xiàn)。目前這個技術(shù)已經(jīng)完全攻克了。上海投影光刻機(jī)價格
上海百雅信息科技發(fā)展有限公司致力于電工電氣,以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)管理的追求。公司自創(chuàng)立以來,投身于PLC,伺服驅(qū)動器,伺服馬達(dá),變頻器,是電工電氣的主力軍。上海百雅科技致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產(chǎn)品上的貼心,為用戶帶來良好體驗(yàn)。上海百雅科技始終關(guān)注自身,在風(fēng)云變化的時代,對自身的建設(shè)毫不懈怠,高度的專注與執(zhí)著使上海百雅科技在行業(yè)的從容而自信。
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