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刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層(如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側墻的硅化物工藝后鈦的剝離)。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征),廣東ICP材料刻蝕版廠家。干法刻蝕也可以根據被刻蝕的材料類型來分類,廣東ICP材料刻蝕版廠家,廣東ICP材料刻蝕版廠家,如刻蝕氮化鎵、氧化硅、氮化硅、鋁鎵氮等材料。廣東ICP材料刻蝕版廠家
在氧化物中開窗口的過程,可能導致氧化物—硅界面層附近的Si0處發(fā)生鉆蝕。在極端情況下,可以導致氧化物層的脫落。在淺擴散高速晶體管的制造中有時會遇到這一問題。薄膜材料刻蝕所用的化學物與溶解這一類物體的材料是相同的,其作用是將材料轉變成可溶性的鹽或復合物。對于每種材料,都有多種刻蝕化學物可選用,它們的特性取決于膜的參數(shù)(如膜的微結構、疏松度和膜的形成過程),同時也取決于所提供的前加工過程的性質。它一般有下述特點:(1)膜材料比相應的體材料更容易刻蝕。因此,必須用稀釋的刻蝕劑,以便控制刻蝕速率。(2)受照射的膜一般將被迅速刻蝕。這種情況,包括離子注入的膜,電子束蒸發(fā)生成的膜,甚至前工序中曾在電子束蒸發(fā)環(huán)境中受照射的膜。而某些光刻膠受照射則屬于例外,因為這是由于聚合作用而變得更難刻蝕的緣故。負性膠就是一例。(3)內應力大的膜將迅速被刻蝕。膜的應力通常由沉積溫度、沉積技術和基片溫度所控制。(4)微觀結構差的薄膜,包括多孔膜和疏松結構的膜,將被迅速刻蝕。這樣的膜,常可以通過高于生長溫度的熱處理使其致密化。珠海MEMS材料刻蝕加工平臺等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產生化學反應。
刻蝕是按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術,它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝??涛g分為干法刻蝕和濕法腐蝕。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝,并會根據客戶的需求,設計刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案。刻蝕技術主要應用于半導體器件,集成電路制造,薄膜電路,印刷電路和其他微細圖形的加工等。廣東省科學院半導體研究所。
刻蝕技術(etchingtechnique),是在半導體工藝,按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術??涛g技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝,而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工??涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下:先在表面涂敷一層光致抗蝕劑,然后透過掩模對抗蝕劑層進行選擇性曝光,由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,經過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形,以此為掩模就可對襯底表面進行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質或金屬層,則選擇腐蝕以后,圖形就轉移到介質或金屬層上。二氧化硅的刻蝕,可以采用濕法腐蝕的方法來腐蝕,也可以采用ICP干法來刻蝕。
硅材料在MEMS器件當中是很重要的一種材料。在硅材料刻蝕當中,應用于醫(yī)美方向的硅針刻蝕需要用到各向同性刻蝕,縱向和橫向同時刻蝕,硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕,主要是在垂直方向刻蝕,而橫向盡量少刻蝕。氮化鎵基超表面結構當中,氮化鎵材料的刻蝕需要使用氧化硅作為掩膜來刻蝕,而氧化硅的刻蝕需要使用Cr充當硬掩模。所以工藝當中,需要先在氮化鎵表面使用PECVD沉積一層氧化硅,采用剝離的方法在氧化硅表面生長一層Cr,使用ICP設備依次刻蝕氧化硅和氮化鎵。ICP刻蝕可以調節(jié)的刻蝕參數(shù)有:ICP 功率,功率值越大,等離子體密度越大,射頻功率,功率值越大,等離子體能量越大,物理濺射加強。GaN的刻蝕一般是采用氯氣和三氯化硼,氣體比例的變化可以調節(jié)物理轟擊和化學反應的平衡。對于二氧化硅刻蝕,氣體一般使用CF4和氧的混合劑。珠海MEMS材料刻蝕加工平臺
減少非均勻性和微負載是刻蝕的重要目標。廣東ICP材料刻蝕版廠家
選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少,它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?;緝热荩焊哌x擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料(刻蝕到恰當?shù)纳疃葧r停止)并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小,選擇比要求越高。廣東省科學院半導體研究所。廣東ICP材料刻蝕版廠家
廣東省科學院半導體研究所致力于電子元器件,以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。廣東省半導體所擁有一支經驗豐富、技術創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團隊,以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務。廣東省半導體所不斷開拓創(chuàng)新,追求出色,以技術為先導,以產品為平臺,以應用為重點,以服務為保證,不斷為客戶創(chuàng)造更高價值,提供更優(yōu)服務。廣東省半導體所始終關注電子元器件市場,以敏銳的市場洞察力,實現(xiàn)與客戶的成長共贏。
文章來源地址: http://m.cdcfah.com/cp/2470007.html
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