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電容充放電時(shí)間計(jì)算公式設(shè),V0為電容上的初始電壓值;V1為電容**終可充到或放到的電壓值;Vt為t時(shí)刻電容上的電壓值。則:Vt=V0+(V1-V0)×[1-exp(-t/RC)]t=RC×Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]例如,電壓為E的電池通過R向初值為0的電容C充電,V0=0,V1=E,故充到t時(shí)刻電容上的電壓為:Vt=E×[1-exp(-t/RC)]再如,初始電壓為E的電容C通過R放電,V0=E,V1=0,故放到t時(shí)刻電容上的電壓為:Vt=E×exp(-t/RC)又如,初值為1/3Vcc的電容C通過R充電,充電終值為Vcc,問充到2/3Vcc需要的時(shí)間是多少?V0=Vcc/3,V1=Vcc,Vt=2*Vcc/3,故t=RC×Ln[(1-1/3)/(1-2/3)]=RC×Ln2=注:以上exp()表示以e為底的指數(shù)函數(shù);Ln()是e為底的對(duì)數(shù)函數(shù)RC回路充放電時(shí)間的推導(dǎo)過程需要用高等數(shù)學(xué),簡單的方法只要記住RC回路的時(shí)間常數(shù)τ=R×C,在充電時(shí),每過一個(gè)τ的時(shí)間,電容器上電壓就上升(1-1/e)約等于;放電時(shí)相反。如C=10μF,R=10k,則τ=10e-6×10e3=在初始狀態(tài)Uc=0時(shí),接通電源,則過(1τ)時(shí),電容器上電壓Uc為0+(1-0)×,到(2τ)時(shí),Uc為()×……以此類推,三亞STRYKER史賽克L10冷光源主機(jī)維修,直到t=∞時(shí),Uc=U。放電時(shí)同樣運(yùn)用,只是初始狀態(tài)不同,初始狀態(tài)Uc=U。進(jìn)入正題**亞STRYKER史賽克L10冷光源主機(jī)維修,三亞STRYKER史賽克L10冷光源主機(jī)維修,我們先來回顧下電容的充放電時(shí)間計(jì)算公式。這是維修中必不可少的一種基本檢修方法。通常有斷電測量和通電測量兩種方式。三亞STRYKER史賽克L10冷光源主機(jī)維修
但是磁芯窗口寬度是很有限的,這樣做會(huì)減小磁芯窗口的利用率。②將繞組導(dǎo)體放置在磁芯窗口中一個(gè)固定的區(qū)域中,而這個(gè)區(qū)域邊緣磁通很小,這種方式同樣可以減小氣隙邊緣磁通造成的導(dǎo)體渦流損耗,但是這種方式增加了繞線的復(fù)雜性。③采用分布式氣隙或均勻分布?xì)庀?。因?yàn)樵跉庀犊傞L度不變的情況下,每個(gè)氣隙的尺寸得以減小,這種方式可以在很大程度上減小氣隙邊緣磁通,它附近導(dǎo)體的渦流損耗會(huì)有較大的改善,但是這種方式的磁芯需要特殊的加工,比較復(fù)雜。同時(shí)增加太多的小氣隙,對(duì)減少繞組的損耗不一定明顯。磁芯和繞組參數(shù)同圖(a)和表1中的三種方案。氣隙布置在3個(gè)磁芯柱上,每個(gè)磁芯柱上的氣隙總長為,拆分成的小氣隙在磁柱上均勻分布,圖。當(dāng)電感繞組中通過幅值為1A,頻率為300kHz的正弦電流時(shí),用AnsoftMaxwell2D電磁場有限元軟件得到單位長度的繞組損耗隨小氣隙個(gè)數(shù)的變化趨勢如圖。圖(a)銅箔繞組結(jié)構(gòu)圖(b)漆包線繞組結(jié)構(gòu)圖圖漆包線繞組和銅箔繞組的磁通分布圖圖繞組損耗隨氣隙間磁柱長度變化的關(guān)系圖圖多氣隙結(jié)構(gòu)圖圖繞組損耗與分布?xì)庀秱€(gè)數(shù)的關(guān)系圖對(duì)圖,剛開始增加氣隙的個(gè)數(shù),能減少繞組的損耗。但氣隙的個(gè)數(shù)增加到6到7個(gè)氣隙以后。三亞STRYKER史賽克L10冷光源主機(jī)維修控制維修價(jià)格,規(guī)避維修風(fēng)險(xiǎn)。
這種關(guān)系如圖6所示。一篇名為“如何將功率MOSFET的RDS(on)對(duì)漏極電流瞬態(tài)值的依賴性包含到高頻三相PWM逆變器的傳導(dǎo)損耗計(jì)算中”的IEEE文章描述了如何確定漏極電流對(duì)傳導(dǎo)損耗的影響。作為ID之函數(shù),RDS(on)變化對(duì)大多數(shù)SMPS拓?fù)涞挠绊懞苄?。例如,在PFC電路中,當(dāng)FCP11N60MOSFET的峰值電流ID為11A兩倍于(規(guī)格書中RDS(on)的測試條件)時(shí),RDS(on)的有效值和傳導(dǎo)損耗會(huì)增加5%。在MOSFET傳導(dǎo)極小占空比的高脈沖電流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,應(yīng)該考慮圖6所示的特性。如果FCP11N60MOSFET工作在一個(gè)電路中,其漏極電流為占空比(即RMS),則有效的RDS(on)將比(規(guī)格書中的測試電流)時(shí)的。公式2CCMPFC電路中的RMS電流式2中,Iacrms是PFC電路RMS輸入電流;Vac是PFC電路RMS輸入電壓;Vout是直流輸出電壓。在實(shí)際應(yīng)用中,計(jì)算IGBT在類似PFC電路中的傳導(dǎo)損耗將更加復(fù)雜,因?yàn)槊總€(gè)開關(guān)周期都在不同的IC上進(jìn)行。IGBT的VCE(sat)不能由一個(gè)阻抗表示,比較簡單直接的方法是將其表示為阻抗RFCE串聯(lián)一個(gè)固定VFCE電壓,VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是,傳導(dǎo)損耗便可以計(jì)算為平均集電極電流與VFCE的乘積,加上RMS集電極電流的平方,再乘以阻抗RFCE。圖5中的示例*考慮了CCMPFC電路的傳導(dǎo)損耗。
它們被分成兩組;K1和K4為一組,K2和K3為另一組。開關(guān)電源工作的時(shí)候,總是一組接通,另一組關(guān)斷,兩組控制開關(guān)輪流交替工作;T為開關(guān)變壓器,N1為變壓器的初級(jí)線圈,N2為變壓器的次級(jí)線圈;Ui為直流輸入電壓,R為負(fù)載電阻;uo為輸出電壓,io為流過負(fù)載的電流。從圖1-47原理圖中可以看出,控制開關(guān)K1和K4與控制開關(guān)K2和K3正好組成一個(gè)電橋的兩臂,變壓器作為負(fù)載被跨接于電橋兩臂的中間。因此,我們把圖1-47的電路稱為全橋式開關(guān)電源電路。圖1-47中,當(dāng)控制開關(guān)K1和K4接通時(shí)候,電源電壓Ui被加到變壓器初級(jí)線圈N1繞組的a、b兩端,同時(shí),由于電磁感應(yīng)的作用在變壓器次級(jí)線圈N2繞組的兩端也會(huì)輸出一個(gè)與N1繞組輸入電壓Ui成正比的電壓,并加到負(fù)載R的兩端,使開關(guān)電源輸出一個(gè)正半周電壓。當(dāng)控制開關(guān)控制開關(guān)K1和K4由接通轉(zhuǎn)為關(guān)斷的時(shí)候,控制開關(guān)K2和K3則由關(guān)斷轉(zhuǎn)為接通,電源電壓Ui被加到變壓器初級(jí)線圈N1繞組的b、a兩端;同理,由于電磁感應(yīng)的作用在變壓器次級(jí)線圈N2繞組的兩端也會(huì)輸出一個(gè)與N1繞組輸入電壓成正比的電壓,并加到負(fù)載R的兩端,使開關(guān)電源輸出一個(gè)負(fù)半周電壓。醫(yī)工隊(duì)伍的現(xiàn)狀很難保證在 短時(shí)間內(nèi),準(zhǔn)確地判斷設(shè)備故障,進(jìn)而高效解決問題。
全橋式變壓器開關(guān)電源工作原理與推挽式變壓器開關(guān)電源以及半橋式變壓器開關(guān)電源的工作原理是很相似的,因此,分析方法也基本相同。下面我們進(jìn)一步詳細(xì)分析全橋式變壓器開關(guān)電源的工作原理。當(dāng)控制開關(guān)K1和K4接通時(shí)候,電源電壓Ui被加到變壓器初級(jí)線圈N1繞組的a、b兩端,在變壓器初級(jí)線圈N1繞組中將有電流經(jīng)過,通過電磁感應(yīng)會(huì)在變壓器的鐵心中產(chǎn)生磁場,并產(chǎn)生磁力線;同時(shí),在初級(jí)線圈N1繞組的兩端要產(chǎn)生自感電動(dòng)勢e1,在次級(jí)線圈N2繞組的兩端也會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢e2;感應(yīng)電動(dòng)勢e2作用于負(fù)載R的兩端,從而產(chǎn)生負(fù)載電流。因此,在初、次級(jí)電流的共同作用下,在變壓器的鐵心中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)由流過變壓器初、次級(jí)線圈電流產(chǎn)生的合成磁場,這個(gè)磁場的大小可用磁力線通量(簡稱磁通量),即磁力線的數(shù)目Φ來表示。如果用Φ1來表示變壓器初級(jí)線圈N1繞組電流產(chǎn)生的磁通量,用Φ2來表示變壓器次級(jí)線圈電流產(chǎn)生的磁通量,由于變壓器初、次級(jí)線圈電流產(chǎn)生的磁場方向總是相反,則在控制開關(guān)K1和K4接通期間,由流過變壓器初、次級(jí)線圈電流在變壓器鐵心中產(chǎn)生的合成磁場的總磁通量Φ為:Φ=Φ1-Φ2K1和K4接通期間(1-179)其中變壓器初級(jí)線圈電流產(chǎn)生的磁通Φ1還可以分成兩個(gè)部分。不能滿足醫(yī)療設(shè)備管理保障工作的需要。三亞STRYKER史賽克L10冷光源主機(jī)維修
不能保證醫(yī)學(xué)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確和患者的醫(yī)療安全。三亞STRYKER史賽克L10冷光源主機(jī)維修
當(dāng)?shù)刃У亩鄶?shù)載流子MOSFET關(guān)斷時(shí),在IGBT少數(shù)載流子BJT中仍存在存儲(chǔ)時(shí)間延遲td(off)I。不過,降低Eoff驅(qū)動(dòng)阻抗將會(huì)減少米勒電容(Millercapacitance)CRES和關(guān)斷VCE的dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn),避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài),從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档蚆OSFET和IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢。不過ZVS的工作優(yōu)點(diǎn)在IGBT中沒有那么大,因?yàn)楫?dāng)集電極電壓上升到允許多余存儲(chǔ)電荷進(jìn)行耗散的電勢值時(shí),會(huì)引發(fā)拖尾沖擊電流Eoff。ZCS拓?fù)淇梢蕴嵘蟮腎GBTEoff性能。正確的柵極驅(qū)動(dòng)順序可使IGBT柵極信號(hào)在第二個(gè)集電極電流過零點(diǎn)以前不被清理,從而明顯降低IGBTZCSEoff。MOSFET的Eoff能耗是其米勒電容Crss、柵極驅(qū)動(dòng)速度、柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷源阻抗及源極功率電路路徑中寄生電感的函數(shù)。該電路寄生電感Lx(如圖8所示)產(chǎn)生一個(gè)電勢,通過限制電流速度下降而增加關(guān)斷損耗。在關(guān)斷時(shí),電流下降速度di/dt由Lx和VGS(th)決定。如果Lx=5nH,VGS(th)=4V,則大電流下降速度為VGS(th)/Lx=800A/μs。總結(jié):在選用功率開關(guān)器件時(shí),并沒有萬全的解決方案,電路拓?fù)?、工作頻率、環(huán)境溫度和物理尺寸,所有這些約束都會(huì)在做出佳選擇時(shí)起著作用。三亞STRYKER史賽克L10冷光源主機(jī)維修
成都鐳伙科技有限公司致力于儀器儀表,是一家服務(wù)型公司。成都鐳伙科技致力于為客戶提供良好的內(nèi)窺鏡以及維修周邊,動(dòng)力系統(tǒng)及手柄附件維修,攝像系統(tǒng)主機(jī)及攝像頭維修,手術(shù)器械類維修,一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競爭力,努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識(shí),遵守行業(yè)規(guī)范,植根于儀器儀表行業(yè)的發(fā)展。成都鐳伙科技秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營理念,全力打造公司的重點(diǎn)競爭力。
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