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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)格,材料刻蝕
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等向性刻蝕:大部份的濕刻蝕液均是等向性,換言之,對(duì)刻蝕接觸點(diǎn)之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案,暴露出來的區(qū)域,便是往下腐蝕的所在;蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性,湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)格,便應(yīng)當(dāng)止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度,當(dāng)其被蝕出某深度時(shí),刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸,故刻蝕液也開始對(duì)刻蝕掩膜圖案邊緣的底部,進(jìn)行蝕掏,這就是所謂的下切或側(cè)向侵蝕現(xiàn)象(undercut),湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)格。該現(xiàn)象造成的圖案?jìng)?cè)向誤差與被蝕薄膜厚度同數(shù)量級(jí),換言之,湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)格,濕刻蝕技術(shù)因之而無法應(yīng)用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術(shù)!有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)格
刻蝕工藝:把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中,經(jīng)過掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影,在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形,或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形,然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金屬薄膜(如鋁及其合金)上去,制造出所需的薄層圖案??涛g就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法,有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形??涛g技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕;濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。湖北氧化硅材料刻蝕版廠家介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。
對(duì)于被刻蝕材料和掩蔽層材料(例如光刻膠)的選擇比SR可通過下式計(jì)算:SR=Ef/Er;其中,Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率,Er為掩蔽層材料的刻蝕速率(如光刻膠);根據(jù)這個(gè)公式,選擇比通常表示為一個(gè)比值,一個(gè)選擇比差的工藝這一比值可能是1:1,意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除地一樣快,而一個(gè)選擇比高的工藝這一比值可能是100:1,說明被刻蝕材料的刻蝕速率為不要被刻蝕材料的(如光刻膠)刻蝕速率的100倍。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。
“刻蝕”指用化學(xué)和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料,是晶圓制造中不可或缺的關(guān)鍵步驟??涛g技術(shù)按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕,其中干法刻蝕是目前8英寸、12英寸先進(jìn)制程中的主要刻蝕手段,干法刻蝕又多以“等離子體刻蝕”為主導(dǎo)。在刻蝕環(huán)節(jié)中,硅電極產(chǎn)生高電壓,令刻蝕氣體形成電離狀態(tài),其與芯片同時(shí)處于刻蝕設(shè)備的同一腔體中,并隨著刻蝕進(jìn)程而逐步被消耗,因此刻蝕電極也需要達(dá)到與晶圓一樣的半導(dǎo)體級(jí)的純度(11個(gè)9)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復(fù)性好,細(xì)線條操作安全,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,無化學(xué)廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。缺點(diǎn)是:成本高,設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程(如屏蔽式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學(xué)過程,常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式比較多,一般有:濺射與離子束銑蝕,等離子刻蝕(PlasmaEtching),高壓等離子刻蝕,高密度等離子體(HDP)刻蝕,反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。另外,化學(xué)機(jī)械拋光CMP,剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。刻蝕,它是半導(dǎo)體制造工藝,微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。四川MEMS材料刻蝕服務(wù)
有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)格
濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),是利用合適的化學(xué)試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解,然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達(dá)到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種方法,其他的有干刻蝕,等離子刻蝕等。濕法刻蝕這種刻蝕技術(shù)主要是借助腐蝕液和晶片材料的化學(xué)反應(yīng),因此我們可以借助化學(xué)試劑的選取、配比以及溫度的控制等來達(dá)到合適的刻蝕速率和良好的刻蝕選擇比。濕法刻蝕的過程:(1)反應(yīng)物擴(kuò)散到欲被刻蝕材料的表面;(2)反應(yīng)物與被刻蝕材料反應(yīng);(3)反應(yīng)后的產(chǎn)物離開刻蝕表面擴(kuò)散到溶液中,隨溶液被排出。湖北半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)格
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的公司,是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。廣東省半導(dǎo)體所深耕行業(yè)多年,始終以客戶的需求為向?qū)?,為客戶提?**的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念,影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注自身,在風(fēng)云變化的時(shí)代,對(duì)自身的建設(shè)毫不懈怠,高度的專注與執(zhí)著使廣東省半導(dǎo)體所在行業(yè)的從容而自信。
文章來源地址: http://m.cdcfah.com/cp/2419696.html
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