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產品關鍵詞:東營雙向可控硅模塊生產廠家,可控硅模塊
***更新:2020-12-10 13:05:38
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詳細說明
可控硅模塊的出現已經歷史悠久,它的出現也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢,使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,下面正高來詳細的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現在電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕,東營雙向可控硅模塊生產廠家、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,東營雙向可控硅模塊生產廠家,東營雙向可控硅模塊生產廠家,因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,并因此得到長足發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司擁有先進的產品生產設備,雄厚的技術力量。東營雙向可控硅模塊生產廠家
滿足可控硅模塊工作的必要條件:
(1)+12V直流電源:可控硅模塊內部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。
(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 東營雙向可控硅模塊生產廠家淄博正高電氣有限公司過硬的產品質量、質量的售后服務、認真嚴格的企業(yè)管理,贏得客戶的信譽。
接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是否已經被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。
可控硅模塊的應用領域
該智能模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等,依據還可經過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用,并可結束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。
可控硅模塊的操控辦法
經過輸入模塊操控接口一個可調的電壓或許電流信號,經過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調度,結束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數導通的進程。
電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對比常用的操控辦法。
淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命,傾力為客戶創(chuàng)造更大利益!可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現象,其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時,其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產生一個高電壓,這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端,然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過程中將產生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負載的開關點是一個很強的噪聲源。不斷開發(fā)新的產品,并建立了完善的服務體系。東營雙向可控硅模塊生產廠家
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可控硅模塊特點:
1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。
3 對通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,它與結溫有關,結溫越高,則IH越小。
5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 東營雙向可控硅模塊生產廠家
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