硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數(shù)，標稱電壓值不*會隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當大到某一電流時，標稱電壓下降到0，山東晶閘管模塊品牌，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量，山東晶閘管模塊品牌。正高電氣企業(yè)文化：服務(wù)至上，山東晶閘管模塊品牌，追求超越，群策群力，共赴超越。山東晶閘管模塊品牌

晶閘管模塊

晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護安裝方便等優(yōu)點，自誕生以來就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞，并得到了極大的發(fā)展。

晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問，存在導(dǎo)通角，負載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差，因此在選擇模塊的電流標準時一定要留出一定的余量。

模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低，模塊輸出電流越大。因此，在運行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品，有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 湖北雙向晶閘管模塊品牌正高電氣展望未來，信心百倍，追求高遠。

    特點：1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強迫風(fēng)冷，400A以上模塊既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷5、安裝簡單，使用維修方便典型應(yīng)用：1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調(diào)光5、無觸點開關(guān)6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、如果產(chǎn)品裝機配型不適用，可退換貨給您滿意貼心的服務(wù)，是我們一貫的宗旨！有10多年功率半導(dǎo)體元器件制造經(jīng)驗，是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、封裝、測試、銷售、技術(shù)服務(wù)為一體的****，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國產(chǎn)化工作。我公司的電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，軟恢復(fù)快速整流管(FRD)，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX)。大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導(dǎo)晶閘管(KN)，可關(guān)斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源。

    AA）替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A；MITSUBITM130SZ-M；英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160A/400VMITSUBITM150SZ-M；英達PFT1503NMTG300A/800VMTG（AA）200A/400VSanRexPWB200AA；MITSUBITM200SZ-M英達PFT2003N；注：上表中MTG型為普通壓降模塊；MTG（AA）為低電壓低導(dǎo)通壓降型模塊。l焊機用模塊電流和電壓計算：我公司MTG、MTG（AA）焊機**模塊可以使用在很多不同型號規(guī)格的焊機中，如ZX5普通焊機；WSM直流氬弧焊機；NBKCO2氣體保護焊機。這些焊機目前都采用流行的雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路形式，如下圖：（雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路）2該線路相當于正極性和反極性兩組三相半波整流電路并聯(lián)。每只晶閘管的比較大導(dǎo)通角為120o，負載電流Id同時由兩個晶閘管和兩個變壓器繞組供給，每只管子承擔1/6的Id，任何瞬時，正，負極性組均有一支電路導(dǎo)通工作。2該線路提高了變壓器利用率。正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品，完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進！

    它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極。正高電氣注重于產(chǎn)品的環(huán)保性能，將應(yīng)用美學(xué)與環(huán)保健康結(jié)合起來。山東晶閘管模塊品牌

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    1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，模塊壓降小、功耗低，效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板，經(jīng)獨特處理方法和特殊焊接工藝，保證焊接層無空洞，導(dǎo)熱性能好。熱循環(huán)負載次數(shù)高于國家標準近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導(dǎo)熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)熱底板不帶電．絕緣強度≥2500V(RMS)，保證人身安全。山東晶閘管模塊品牌

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