圖10f示出正在算法704中進(jìn)行仿真的位置定位系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的線(xiàn)圈1028和線(xiàn)圈1026上方的金屬目標(biāo)1204的定位，比例傳感器線(xiàn)圈定做。為了討論的目的，比例傳感器線(xiàn)圈定做，比例傳感器線(xiàn)圈定做，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線(xiàn)圈設(shè)計(jì)800的示例，其中線(xiàn)圈1028和線(xiàn)圈1026分別與線(xiàn)圈804和線(xiàn)圈806的跡線(xiàn)的一維近似相對(duì)應(yīng)。為了簡(jiǎn)化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線(xiàn)圈802，但是發(fā)射線(xiàn)圈802的跡線(xiàn)也通過(guò)一維導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)近似。在仿真了來(lái)自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線(xiàn)圈802的電磁場(chǎng)之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過(guò)原始邊界積分公式來(lái)計(jì)算的。金屬目標(biāo)1024通?？梢员唤楸〗饘倨?。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測(cè)量。如上文關(guān)于導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場(chǎng)的穿透深度的大約兩倍的厚度時(shí)，感應(yīng)電流密度在整個(gè)層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。如果不是這種情況，則可以使用類(lèi)似于以下中提供的計(jì)算上代價(jià)更高的體積積分公式或有限元建模來(lái)對(duì)目標(biāo)進(jìn)行建模：bettini，m.、passarotto，艮、specogna。傳感器線(xiàn)圈直銷(xiāo)，無(wú)錫東英電子有限公司。比例傳感器線(xiàn)圈定做

    此處提供的電壓描述是成比例的，并且被描述為完整環(huán)路(環(huán)路120、環(huán)路122和環(huán)路116)的比例可以具有大表示1，而環(huán)路114和環(huán)路118可以具有大表示1/2。符號(hào)環(huán)路的參考方向，其導(dǎo)致從該環(huán)路生成電壓。參考方向是任意的，并且無(wú)論選擇兩個(gè)可能的方向中的哪一個(gè)方向來(lái)表示正方向，都可以計(jì)算出一致的結(jié)果。然而，在金屬目標(biāo)124被放置在0°位置的情況下，正弦定向線(xiàn)圈112的環(huán)路114中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中生成的渦電流抵消，使得vc＝0。在正弦定向線(xiàn)圈112的環(huán)路116中，環(huán)路116在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中形成的渦電流抵消，但是環(huán)路116不在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108生成電壓。由于環(huán)路116的一半被暴露，因此生成的電壓為vd＝-1/2。此外，在正弦定向線(xiàn)圈112的環(huán)路118中生成電壓，使得ve為1/2。然而，由環(huán)路116生成的電壓被在環(huán)路118中生成的電壓抵消，導(dǎo)致正弦定向環(huán)路112兩端的電壓信號(hào)為0；vsin＝vc+vd+ve＝0。在金屬目標(biāo)124相對(duì)于余弦定向線(xiàn)圈110的相同定向下，環(huán)路120被金屬目標(biāo)124覆蓋，使得va＝0。環(huán)路122被暴露，使得vb＝1。因此，余弦定向線(xiàn)圈110兩端的電壓vcos由va+vb＝1給出。比例傳感器線(xiàn)圈定做傳感器線(xiàn)圈線(xiàn)圈，無(wú)錫東英電子有限公司。

    與線(xiàn)圈設(shè)計(jì)800所示的線(xiàn)性位置系統(tǒng)不同，圖9a、圖9b和圖9c所示的線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900示出旋轉(zhuǎn)位置系統(tǒng)。如線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900中所示，發(fā)射線(xiàn)圈902、余弦定向接收線(xiàn)圈904和正弦定向線(xiàn)圈906以圓形方式定向。此外，發(fā)射線(xiàn)圈902包括具有引線(xiàn)920的變形部分916。正弦定向線(xiàn)圈906包括阱908和阱912，并且被連接到引線(xiàn)924。類(lèi)似地，余弦定向線(xiàn)圈904包括阱910和阱914，并且被耦合到引線(xiàn)926。pcb還可以具有安裝孔918。圖9a示出線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的平面圖，而圖9b示出線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的斜視圖，其示出在其上形成線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的pcb板的兩側(cè)上的通孔和跡線(xiàn)。圖9c示出印刷電路板930上的線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的平面圖。此外，被耦合到引線(xiàn)920、引線(xiàn)924和引線(xiàn)926的控制電路932被安裝在電路板930上。圖9d示出類(lèi)似于在定位系統(tǒng)400中使用的實(shí)際位置的實(shí)際位置與在例如算法700的步驟704中通過(guò)使用rx電壓通過(guò)仿真重構(gòu)的位置之間的百分比誤差。如圖9d所示，在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900之后，理論結(jié)果與仿真結(jié)果之間的百分比誤差小于％。圖9e示出在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900之后的實(shí)際角位置和仿真角位置。圖6也示出在已經(jīng)應(yīng)用線(xiàn)性化算法之后經(jīng)優(yōu)化的線(xiàn)圈設(shè)計(jì)900的全標(biāo)度誤差的百分比。在該標(biāo)度下，誤差小于％fs。

    對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)的是，可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下實(shí)踐一些實(shí)施例。本文公開(kāi)的具體實(shí)施例意在是說(shuō)明性的而不是限制性的。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到盡管在此未具體描述但是在本公開(kāi)的范圍和精神之內(nèi)的其他元素。說(shuō)明創(chuàng)造性的方面和實(shí)施例的描述不應(yīng)被理解為進(jìn)行限制，而是由權(quán)利要求定義所保護(hù)的發(fā)明。在不脫離本說(shuō)明和權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種改變。在一些實(shí)例中，為了不使本發(fā)明變得模糊，沒(méi)有詳細(xì)地示出或描述已知的結(jié)構(gòu)和技術(shù)。圖1a示出定位系統(tǒng)100。如圖1a所示，該定位系統(tǒng)包括發(fā)射/接收控制電路102，該發(fā)射/接收控制電路102被耦合，以驅(qū)動(dòng)發(fā)射器線(xiàn)圈106和從接收線(xiàn)圈104接收信號(hào)。在大多數(shù)配置中，接收線(xiàn)圈104位于發(fā)射器線(xiàn)圈106之內(nèi)，但是在圖1a中，為了清楚起見(jiàn)，它們被分開(kāi)示出。接收線(xiàn)圈104通常物理上位于發(fā)射線(xiàn)圈106的邊界內(nèi)。本發(fā)明的實(shí)施例可以包括發(fā)射器線(xiàn)圈106、兩個(gè)線(xiàn)圈104、以及驅(qū)動(dòng)發(fā)射器線(xiàn)圈106和測(cè)量源自線(xiàn)圈104中的信號(hào)的集成電路(ic)102，它們?nèi)慷夹纬稍谟∷㈦娐钒?pcb)上。圖1b示出線(xiàn)性位置定位系統(tǒng)中的發(fā)射線(xiàn)圈106和接收線(xiàn)圈104的配置。如圖1b所示。管道傳感器線(xiàn)圈，無(wú)錫東英電子有限公司。

    二)磁場(chǎng)的強(qiáng)度在近房間中心的磁場(chǎng)強(qiáng)度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比，與回路的直徑成反比例。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(IEC60118—4，BS7594)指出：一個(gè)磁場(chǎng)的長(zhǎng)期平均輸出功率值應(yīng)為100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內(nèi)，距離地板1．2米時(shí)測(cè)得的磁場(chǎng)垂直面上的強(qiáng)度。允許在言語(yǔ)中出現(xiàn)達(dá)到400mA/m的強(qiáng)度峰值、頻率范圍應(yīng)當(dāng)覆蓋100Hz—5kHz。在回路中心的直徑a米，有n周?chē)@的回路其磁場(chǎng)強(qiáng)度可以用下式計(jì)算：H是磁場(chǎng)的強(qiáng)度，用每米毫安培表示，I是電流值的均方根，用安培表示、對(duì)一個(gè)正方形的回路，大小用a米表示，其磁場(chǎng)強(qiáng)度要比計(jì)算的值少10%。如果磁場(chǎng)的長(zhǎng)期平均輸出功率強(qiáng)度要達(dá)到100mA/m，則回路輸出的值至少要在400mA/m(好560mA/m)，這樣可以避免在更大強(qiáng)度的言語(yǔ)聲音中產(chǎn)生過(guò)多的削峰。根據(jù)電磁原理我們可以看到，感應(yīng)回路線(xiàn)圈并不是在建筑中產(chǎn)生磁場(chǎng)的的一條電線(xiàn)，所有建筑中的電線(xiàn)都會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，因此，助聽(tīng)器不僅能收到語(yǔ)音信號(hào)，也可以接收到其他磁場(chǎng)信號(hào)，如50Hz的電源電壓信號(hào)等。在布線(xiàn)的時(shí)候要充分考慮到干擾源的問(wèn)題。如果音頻磁場(chǎng)太弱，信噪比就不夠大。提高信號(hào)發(fā)射功率，可以干擾。在一些體積較小的助聽(tīng)器中(其線(xiàn)圈亦小)。國(guó)產(chǎn)傳感器線(xiàn)圈，無(wú)錫東英電子有限公司。河南增強(qiáng)傳感器線(xiàn)圈

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    如圖4a進(jìn)一步示出的，金屬目標(biāo)408沿z方向定位，以在金屬目標(biāo)408與位置定位系統(tǒng)410之間提供氣隙(ag)。在一些實(shí)施例中，定位器404能夠如在坐標(biāo)系420中所示的在x-y平面中線(xiàn)性地移動(dòng)金屬目標(biāo)408。在一些實(shí)施例中，定位器404根據(jù)需要在位置定位器系統(tǒng)410上方圍繞旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)金屬目標(biāo)408，例如，用于測(cè)試旋轉(zhuǎn)定位器而不是線(xiàn)性定位器?？刂破?02被耦合以提供控制信號(hào)并從定位器404接收接收線(xiàn)圈信號(hào)?？刂破?02還被耦合以將發(fā)射功率提供給在定位系統(tǒng)410上的發(fā)射線(xiàn)圈，并接收和處理來(lái)自定位系統(tǒng)410中的接收線(xiàn)圈的信號(hào)。如上所述，位置定位系統(tǒng)410可以包括如上所述的發(fā)射線(xiàn)圈106、余弦定向線(xiàn)圈110和正弦定向線(xiàn)圈112。在一些情況下，控制器402可以與定位系統(tǒng)410的發(fā)射線(xiàn)圈106、余弦定向線(xiàn)圈110和正弦定向線(xiàn)圈112安裝在同一pcb上，并將定位信號(hào)提供給分離的處理器422。處理器422可以是能夠?qū)⒖刂破?02和定位器404接合的任何處理系統(tǒng)。這樣，處理器422可以包括一個(gè)或多個(gè)微型計(jì)算機(jī)、暫時(shí)性和非暫時(shí)性存儲(chǔ)器以及接口。處理器404與定位器進(jìn)行通信，以確定金屬目標(biāo)408相對(duì)于位置定位系統(tǒng)410的精確位置，并且向定位器404提供信號(hào)。比例傳感器線(xiàn)圈定做

無(wú)錫東英電子有限公司總部位于江蘇省無(wú)錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)新壩村，是一家電器元件、電子線(xiàn)圈、ABS/ESC線(xiàn)圈閥、勵(lì)磁線(xiàn)圈、電磁閥、傳感器、汽車(chē)電控、汽車(chē)電子零件、精密注塑封、五金零件、普通機(jī)械設(shè)備的生產(chǎn)、銷(xiāo)售。（依法批準(zhǔn)經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）。的公司。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于電子線(xiàn)圈，電磁閥，傳感器，汽車(chē)電子零部件，是機(jī)械及行業(yè)設(shè)備的主力軍。東英電子始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。東英電子創(chuàng)始人胡建東，始終關(guān)注客戶(hù)，創(chuàng)新科技，竭誠(chéng)為客戶(hù)提供良好的服務(wù)。

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