氮化硅結合碳化硅添加不同助劑時的外貌變化： 在添加不同的燒結助劑對氮化硅結合碳化硅樣品的主要物相為SiC和Si3N4，我們?nèi)追N樣品進行實驗，首先樣品A和樣品C主要含有α-Si3N4，樣品B主要含有β-Si3N4，α-Si3N4呈針狀，β-Si3N4呈棒狀；樣品C中α-Si3N4特征峰強度較樣品A而言更強；圖譜中出現(xiàn)的Si5AlON7、Y2Si2O7的衍射峰，河北耐高溫碳化硅結合氮化硅廠家直銷，河北耐高溫碳化硅結合氮化硅廠家直銷，說明燒結助劑在燒結過程中與Si3N4或SiO2發(fā)生反應。經(jīng)過試驗我們看樣品的SEM照片得出以下結論(A)Si3N4晶須呈棉絮狀含量較少，河北耐高溫碳化硅結合氮化硅廠家直銷，主要附著在SiC顆粒表面；(B)樣品Si3N4晶須呈長棒狀多為β-Si3N4，主要嵌插在碳化硅顆粒間表面粗糙；(C)Si3N4晶須呈針狀，分布在表面和孔隙間。以上闡述是氮化硅結合碳化硅在添加不同燒結助劑時的物相以及在顯微鏡下的形狀樣貌。

    也就是由窯爐內(nèi)的N2的消耗量和爐壓來控制和檢驗氮化率，它決定了升溫速度。在氮壓控制燒成中，不需要規(guī)定嚴格的升溫制度，而是預先設定標準爐壓，再根據(jù)爐壓變化來調(diào)整氮化工藝參數(shù)。氮化開始時，在一定時間間隔內(nèi)，如果實測爐壓等于控制壓時，說明氮化反應穩(wěn)定進行，爐溫不變；如果爐壓小于控制壓，而爐壓連續(xù)下降，說明氮化反應劇烈，應將爐溫下調(diào)；如果爐壓上升至大于控制壓時，說明氮化反應基本達到平衡，窯爐內(nèi)開始升溫，直到檢測到下一次爐壓下降，這樣的一種循環(huán)工藝操作以表象上的準靜態(tài)、實質(zhì)上連續(xù)的動態(tài)平衡可使氮化反應高速進行。氮化硅結合碳化硅制品氮化燒結的主要影響因素是氮化反應的時間，而兩級保溫之間的溫度大小和氮化燒結**終溫度的高低使這兩個因子對試樣增重率的影響相對較大。經(jīng)過我們試驗分析對在氮化硅結合碳化硅材料的氮化燒結過程中有以下幾點：1.適當提高反應起始溫度，加速初始氮化反應，不會造成“流硅”現(xiàn)象。2.在反應中溫區(qū)，可適當加大兩級保溫之間的溫差，加速中溫區(qū)的反應速率。3.比較高燒成溫度可在較大的范圍內(nèi)波動，不像液相燒結陶瓷制品時那么嚴格。因此可采用較高的氮化溫度加速高溫氮化反應。

    氮化硅結合碳化硅材料的氮壓控制燒成：所謂氮壓控制燒成就是氮化硅結合碳化硅制品在窯爐中氮化燒成時，表現(xiàn)為：在微觀上是不斷進行的氮與硅的反應，達到一種動態(tài)平衡；在宏觀上是以氮分壓，也就是由窯爐內(nèi)的N2的消耗量和爐壓來控制和檢驗氮化率，它決定了升溫速度。在氮壓控制燒成中，不需要規(guī)定嚴格的升溫制度，而是預先設定標準爐壓，再根據(jù)爐壓變化來調(diào)整氮化工藝參數(shù)。氮化開始時，在一定時間間隔內(nèi)，如果實測爐壓等于控制壓時，說明氮化反應穩(wěn)定進行，爐溫不變；如果爐壓小于控制壓，而爐壓連續(xù)下降，說明氮化反應劇烈，應將爐溫下調(diào)；如果爐壓上升至大于控制壓時，說明氮化反應基本達到平衡，窯爐內(nèi)開始升溫，直到檢測到下一次爐壓下降，這樣的一種循環(huán)工藝操作以表象上的準靜態(tài)、實質(zhì)上連續(xù)的動態(tài)平衡可使氮化反應高速進行。我廠專業(yè)生產(chǎn)氮化硅結合碳化硅磚、氮化硅保護管、碳化硅保護管等產(chǎn)品，是山東率先生產(chǎn)氮化硅坩堝、氮化硅異型件、硅碳棒保護管和熱電偶保護管的廠家。

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