影響氮化燒結(jié)過程的主要因素是反應(yīng)的保溫時間，它是各級保溫時間的總和，廣西耐腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅廠家，該時間與坯體壁厚尺寸關(guān)系比較大。坯體壁較厚時，所需保溫時間長，反之坯體壁較薄時，所需保溫時間短。氮化硅結(jié)合碳化硅在氮化爐中燒制時，我們對氮化硅材料氮化燒結(jié)環(huán)境下的研究認(rèn)為在燒成反應(yīng)中存在著間接反應(yīng)和直接反應(yīng)。在反應(yīng)中，作為反應(yīng)的參與者，廣西耐腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅廠家，廣西耐腐蝕碳化硅結(jié)合氮化硅廠家，N2的分壓起著極為重要的作用，但不論氮分壓的大小如何，只要生產(chǎn)Si3N4，那么在坯體內(nèi)就存在著N2的濃度梯度和生成Si3N4的濃度梯度，而且這種濃度梯度的方向是相同的，越是接近坯體表面其兩個組分的濃度越高。要想反應(yīng)不斷向坯體內(nèi)部推進就必須確保合適的氮分壓和反應(yīng)溫度。在純Si3N4的氮化燒結(jié)中，通常會發(fā)生“流硅”反應(yīng)而使氮化反應(yīng)受到影響，這是因為氮化反應(yīng)是一個放熱反應(yīng)，為使反應(yīng)完全又將Si粉的粒徑控制在很小范圍內(nèi)，這樣在氮化過程中若控制不當(dāng)時，供給熱量和生成熱量疊加而使溫度達到了硅的熔點使Si粉熔化而產(chǎn)生所謂的“流硅”現(xiàn)象。在氮化硅結(jié)合碳化硅的氮化燒結(jié)中，Si粉的濃度含量相對較低，而濃度較高的SiC又有著較大的導(dǎo)熱率從而了“流硅”現(xiàn)象的發(fā)生。氮化硅結(jié)合碳化硅材料強度大,抗熱震、導(dǎo)熱性好。

    氮化硅結(jié)合碳化硅制品氮化燒結(jié)的主要影響因素是氮化反應(yīng)的時間，而兩級保溫之間的溫度大小和氮化燒結(jié)**終溫度的高低使這兩個因子對試樣增重率的影響相對較大。經(jīng)過我們試驗分析對在氮化硅結(jié)合碳化硅材料的氮化燒結(jié)過程中有以下幾點：1.適當(dāng)提高反應(yīng)起始溫度，加速初始氮化反應(yīng)，不會造成“流硅”現(xiàn)象。2.在反應(yīng)中溫區(qū)，可適當(dāng)加大兩級保溫之間的溫差，加速中溫區(qū)的反應(yīng)速率。3.比較高燒成溫度可在較大的范圍內(nèi)波動，不像液相燒結(jié)陶瓷制品時那么嚴(yán)格。因此可采用較高的氮化溫度加速高溫氮化反應(yīng)。4.影響氮化燒結(jié)過程的主要因素是反應(yīng)的保溫時間，它是各級保溫時間的總和，該時間與坯體壁厚尺寸關(guān)系比較大。坯體壁較厚時，所需保溫時間長，反之坯體壁較薄時，所需保溫時間短。

    氮化硅結(jié)合碳化硅在氮化爐中燒制時，我們對氮化硅材料氮化燒結(jié)環(huán)境下的研究認(rèn)為在燒成反應(yīng)中存在著間接反應(yīng)和直接反應(yīng)。在反應(yīng)中，作為反應(yīng)的參與者，N2的分壓起著極為重要的作用，但不論氮分壓的大小如何，只要生產(chǎn)Si3N4，那么在坯體內(nèi)就存在著N2的濃度梯度和生成Si3N4的濃度梯度，而且這種濃度梯度的方向是相同的，越是接近坯體表面其兩個組分的濃度越高。要想反應(yīng)不斷向坯體內(nèi)部推進就必須確保合適的氮分壓和反應(yīng)溫度。在純Si3N4的氮化燒結(jié)中，通常會發(fā)生“流硅”反應(yīng)而使氮化反應(yīng)受到影響，這是因為氮化反應(yīng)是一個放熱反應(yīng)，為使反應(yīng)完全又將Si粉的粒徑控制在很小范圍內(nèi)，這樣在氮化過程中若控制不當(dāng)時，供給熱量和生成熱量疊加而使溫度達到了硅的熔點使Si粉熔化而產(chǎn)生所謂的“流硅”現(xiàn)象。在氮化硅結(jié)合碳化硅的氮化燒結(jié)中，Si粉的濃度含量相對較低，而濃度較高的SiC又有著較大的導(dǎo)熱率從而了“流硅”現(xiàn)象的發(fā)生。

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